<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2025-30-3-287-292</article-id><article-id pub-id-type="risc">82507623</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.386:546.26</article-id><article-categories><subj-group><subject>Mатериалы электроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">The effect of irradiation with N+, Ar+, He+ ions on the structure of colloidal graphite</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Влияние облучения ионами N+, Ar+, He+ на структуру коллоидного графита</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Хамдохов Залим Мухамедович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Хамдохов</surname><given-names>Залим Мухамедович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Khamdokhov</surname><given-names>Zalim M.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Zalim M. Khamdokhov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Маргушев Заур Чамилович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Маргушев</surname><given-names>Заур Чамилович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Margushev</surname><given-names>Zaur Ch.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Zaur Ch. Margushev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Калажоков Замир Хамидбиевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Калажоков</surname><given-names>Замир Хамидбиевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Kalazhokov</surname><given-names>Zamir Kh.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Zamir Kh. Kalazhokov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Калажоков Хамидби Хажисмелович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Калажоков</surname><given-names>Хамидби Хажисмелович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Kalazhokov</surname><given-names>Khamidbi Kh.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Khamidbi Kh. Kalazhokov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Кабардино-Балкарский научный центр Российской академии наук  (Россия, 360000, Кабардино-Балкарская Республика, г. Нальчик, ул. И. Арманд, 37а)</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Кабардино-Балкарский научный центр Российской академии наук  (Россия, 360000, Кабардино-Балкарская Республика, г. Нальчик, ул. И. Арманд, 37а); Кабардино-Балкарский научный центр Российской академии наук  (Россия, 360000, Кабардино-Балкарская Республика, </aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Кабардино-Балкарский научный центр Российской академии наук  (Россия, 360000, Кабардино-Балкарская Республика, г. НальКабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова (Россия, 360004, Кабардино-Балкарская Республика, г. Нальчик, ул. Че</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2025-07-30" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>30</day><month>07</month><year>2025</year></pub-date><volume>Том. 30 №3</volume><issue>3</issue><fpage>287</fpage><lpage>292</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/Том 30 №3/vliyanie_oblucheniya_ionami_n_ar_he_na_strukturu_kolloidnogo_grafita/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Colloidal graphites are widely used as components in the production of graphite mixtures and process lubricants in industry, as well as in electronics for the manufacture of field emission media for cold cathodes. It is known that the physical and chemical properties of such films are largely determined by the ratio of carbon concentrations in the sp2 and sp3 valence states in it. Therefore, methods for modifying graphite films that allow controlling the specified ratio of valence states are quite relevant. In this work, the effect of irradiation with N+, Ar+, He+ ions on the content of carbon atoms with sp2 and sp3 hybridization in carbon films obtained by aerosol spraying of a colloidal solution of the Graphite 33 brand onto glass substrates with a submicron layer of titanium nitride on the surface is studied. The films were irradiated with N+, Ar+, He+ ions with an energy of 7 keV and a current density of ~ 0.3 mA/cm2 at room temperature. An x-ray photoelectron spectroscopy study of the surface of these samples showed that bombardment with nitrogen ions causes disordering of sp2 graphite clusters and their subsequent transformation into sp3 structures. It has been established that the number of sp2 atoms decreases, while the content of carbon atoms with sp3 hybridization increases significantly.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Коллоидные графиты широко применяются в качестве компонентов при производстве графитовых смесей и технологических смазок в промышленности, а также в электронике для изготовления автоэмиссионных сред холодных катодов. Известно, что физико-химические свойства таких пленок в значительной степени определяются соотношением в ней концентраций углерода в валентных состояниях sp2 и sp3. Поэтому методы модификации графитовых пленок, позволяющие управлять указанным соотношением ва-лентных состояний, актуальны. В работе исследовано влияние облучения ионами N&amp;#43;, Ar&amp;#43;, He&amp;#43; на содержание атомов углерода в состояниях sp2- и sp3-гибридизации в углеродных пленках, полученных с помощью аэрозольного распыления коллоидного раствора марки Graphite 33 на стеклянные подложки с субмикронным слоем нитрида титана на поверхно-сти. Пленки подвергнуты облучению ионами N&amp;#43;, Ar&amp;#43;, He&amp;#43; с энергией 7 кэВ и плотностью тока ~ 0,3 мА/см2 при комнатной температуре. Исследование методом рентгеновской фо-тоэлектронной спектроскопии поверхности данных образцов показало, что бомбардировка ионами азота вызывает разупорядочение графитовых кластеров sp2 и их последующую трансформацию в структуры sp3. Установлено, что количество атомов в состоянии sp2-гибридизации уменьшается, а содержание атомов углерода в состоянии sp3-гибридизации значительно увеличивается.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>пленка коллоидного графита</kwd><kwd>углерод</kwd><kwd>рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>colloidal graphite film</kwd><kwd>carbon</kwd><kwd>xray photoelectron spectroscopy</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Khamdokhov Z. M., Fedotova G. V., Samodurov P. S., Shermetova M. A. Cold cathodes based on an assembly of microchannel plates for low-power X-ray tubes. Instrum. Exp. Tech. 2021;64(1):117-120.  DOI: 10.1134/S0020441220060172</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Jackson S. T., Nuzzo R. G. Determining hybridization differences for amorphous carbon from the XPS C 1s envelope. Appl. Surf. Sci. 1995;90(2):195-203.  DOI: 10.1016/0169-4332(95)00079-8  EDN: APFVEJ</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Хамдохов З. М., Маргушев З. Ч., Калажоков З. X., Калажоков Х. Х., Тленкопачев М. Р., Левин Д. Д., Лосанов Х. Х. Особенности структуры и состава пленок, полученных с помощью аэрозольного распыления растворов коллоидного графита. Изв. вузов. Электроника. 2022;27(5):581-590.  DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-5-581-590  EDN: YNFYFZ</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Khamdokhov Z. M., Margushev Z. Ch., Kalazhokov Z. Kh., Kalazhokov Kh. Kh., Tlenkopacyev M. R., Levin D. D., Losanov Kh. Kh. Structure and composition features of films obtained by aerosol spraying of colloidal graphite solutions. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics. 2022;27(5):581-590. (In Russ.).  DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-5-581-590</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Biesinger M. C. Accessing the robustness of adventitious carbon for charge referencing (correction) purposes in XPS analysis: Insights from a multi-user facility data review. Appl. Surf. Sci. 2022;597:153681.  DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.153681  EDN: NFPLMC</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Morgan D. J.Comments on the XPS analysis of carbon materials. C. 2021;7(3):51.  DOI: 10.3390/c7030051</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Zkria A., Gima H., Abubakr E., Mahmoud A., Haque A., Yoshitake T. Correlated electrical conductivities to chemical configurations of nitrogenated nanocrystalline diamond films. Nanomaterials. 2022;12(5):854.  DOI: 10.3390/nano12050854  EDN: UUUDLD</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Peng J., Yang M., Zeng J., Su D., Liao J., Yick M. Influence of nitrogen doping on the thermal stability of hydrogenated amorphous diamond coating. Thin Solid Films. 2020;709:138188.  DOI: 10.1016/j.tsf.2020.138188  EDN: PEFIEO</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
